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设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.
一款600V VDMOS终端结构的设计
【摘 要】
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设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面
【机 构】
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西南交通大学微电子研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2014年06期
【基金项目】
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国家自然科学基金重大项目(60990320,60990323);国家自然科学基金面上项目(61271090);国家高技术研究发展计划(“八六三”计划)重大项目(2012AA0123);四川省科技支撑计划项目(2012GZ0101)
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