【摘 要】
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本文介绍了DX621型GaAsMESFET的设计与制作。该器件成功地采用了密集型源区正面通孔电镀热沉结构,同时采用了N~+N~-N特殊杂质浓度分布的汽相GaAs外延材料。该器件在18GHz下,1
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本文介绍了DX621型GaAsMESFET的设计与制作。该器件成功地采用了密集型源区正面通孔电镀热沉结构,同时采用了N~+N~-N特殊杂质浓度分布的汽相GaAs外延材料。该器件在18GHz下,1dB压缩输出功率大于600mW,1dB压缩功率增益为7dB,漏极效率大于30％。
This article describes the design and manufacture of the DX621 GaAsMESFET. The device successfully adopts the dense front-hole through-hole heat sink structure of the source region, and adopts the vapor phase GaAs epitaxial material with the concentration distribution of N ~ + N ~ -N special impurities. The device at 18GHz, 1dB compression output power greater than 600mW, 1dB compression power gain of 7dB, drain efficiency greater than 30%.
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