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基于理论概括与实验研究，已经在Ｎ＾－／Ｎ＾＋／Ｐ＾＋外延基片上获得了１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ；并进而指出了实现该器件相相关联的关键技术。它们分别是：优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备，器件纵横向几何结构及工作参数的准确量化，和通过叠加组合形成的复合高压终端结构。
1300V／20A绝缘栅双极晶体管IGBT
【摘 要】
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基于理论概括与实验研究，已经在Ｎ＾－／Ｎ＾＋／Ｐ＾＋外延基片上获得了１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ；并进而指出了实现该器件相相关联的关键技术。它们分别是：优质厚层低缺陷密度异型硅外延材料的工艺制备，器件纵横向几何结
【机 构】
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电子科技大学微电子学与工程系成都610054
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1993年6期
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