E~2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

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采用实验研究的方法,通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对PMOS管开启电压的影响,很好地解决了开启电压的工艺控制问题,同时又保证了pn结击穿电压的要求,满足了E2PROM研制的需要 Through the experimental study, through the comparative analysis of well injection dose, doping impurity types and adjusting the injection dose on the PMOS transistor turn-on voltage, the problem of process control of the turn-on voltage is well solved, and the pn junction breakdown voltage The requirements, to meet the needs of E2PROM development
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