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化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术，其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程，便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理，给出了一种CMP在线终点检测装置。
一种基于光学干涉原理的EMP在线终点检测装置
【摘 要】
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化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术，其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程，便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄
【机 构】
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中国电子科技集团第四十五研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2007年10期
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