抛光垫相关论文
化学机械抛光（CMP）作为一种超精密加工技术，在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫......
作为目前唯一能够实现全局平坦度的加工工艺,化学机械抛光（CMP）常被作为衬底加工的最后一道工序。然而在加工过程中,随着抛光垫的表......
作为第三代半导体材料,SiC具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率和低相对介电常数等特点,被广泛应用于5G通讯......
随着电子技术、通信工程和微电子技术等行业的快速进展,对关键零部件的半导体器件不仅要求高平整度、超光滑、亚纳米级的表面粗糙......
硬质合金以其优良的硬度、韧性和耐磨性等特性,常作为切削刀具材料应用于汽车、航空、航天等领域。采用化学机械抛光（Chemical Mech......
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......
传统计算机控制小磨头抛光技术因具有较高的去除效率以及较好的面形控制能力，广泛应用于光学元件加工的抛光阶段，但是抛光垫易磨损和......
化学机械抛光(Chemical mechanical polishing，CMP)是芯片制造过程中最重要的工序之一，是目前保证亚微米集成电路芯片同时保持整体和......
目前化学机械抛光广泛应用于衬底晶片和多层布线的层间平坦化加工中。抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分,具有贮存抛光......
在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测......
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产......
化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用，主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化......
3M另一大类地板清洁垫是抛光垫,严格来讲应该称为超高速抛光垫.它们都是配合超高速抛光机(＞1500r/min)使用,进行蜡面抛光,恢复蜡面......
研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光（CMP）材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构。使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪......
【正】昆明凯捷科技有限公司为美国3M商用清洁、美国ECOLAB(艺康化工)在云南省的总代理商。公司倡导正确的清洁观念,注重所用产品......
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑......
化学机械抛光（chemical mechanical polishing／planarization，CMP）能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路（integrated ......
地板抛光机 FP 303凯驰地板抛光机FP303能提供系统的硬质地面维护和护理保养方案：抛光机，抛光垫和各种地面护理剂，为各种地面提供不同......
具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成，但是与抛光垫的表面形态有关，在此基础上，分析了铜CMP的作用机制，初步定性指出造成......
在分析衬底基片加工工艺和衬底基片加工试验的基础上，得出导致衬底基片表面变形的因素有：支承盘精度、粘片的方法、衬底基片的表层应......
化学机械抛光过程中，抛光垫性能是影响抛光质量和抛光效率的重要因素之一，而抛光垫的性能又受其表面沟槽结构形状的影响。在介绍几种......
钆镓石榴石（gadolinium gallium garnet,GGG）晶片是一种性能优良的激光材料,但其在抛光后易产生划痕、效率低。为保证GGG晶片的平面......
化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦......
磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用。为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种......
抛光是获得超精密表面的重要手段。在平面抛光过程中,抛光垫类型对应不同的抛光工艺参数,抛光垫的修整精度直接影响工件面形精度,......
以IC1000／SubaIV抛光垫为例，综述了影响抛光垫性能的各种因素，以文献相关数据为依据，着重分析了抛光温度和修整力对抛光垫性能的影响。......
抛光垫修整器系统是CMP设备的重要组成部分，它可以优化CMP的工艺结果，有效延长抛光垫的寿命；通过介绍抛光垫修整器装置的整体结构、机......
抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分.它具有贮存抛光液,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用.抛光垫的性能主要由......
抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。合理的修整可以改善修整效果，提高抛光质量。抛光垫的修整效果可以通过修整器的设计和修......
摘要：抛光垫是化学机械抛光（CMP）系统的重要组成部分，具有贮存、输送抛光液等作用，对晶片的去除率和平整度起着至关重要的作用。本文介......
为解决强激光系统中大口径光学元件抛光面形精度收敛困难的问题,提出了一种基于压力补偿原理的抛光面形快速收敛技术。利用独特的......
抛光垫是晶片化学机械抛光中决定表面质量的重要辅料。研究了抛光垫对光电子晶体材料抛光质量的影响：硬的抛光垫可提高晶片的平面度......
应用双电层理论分析了SiO2磨粒与聚苯乙烯粒子在溶液中的℃电位及粒子间的相互作用机制，观察到SiO2磨粒吸附在聚苯乙烯粒子表面的现......
抛光磨粒和抛光垫对蓝宝石超声化学机械抛光起重要作用,为研究磨粒和抛光垫特性对蓝宝石材料抛光效率和质量的影响,利用自制超声弯......
介绍了化学机械抛光技术,重点分析了国产聚氨脂抛光垫表面结构的几何特征及其三种开槽加工工艺的效率与成本。通过检测及试验研究......
化学机械抛光中,抛光垫的材料特性是影响抛光效率和光亮度的重要因素之一。聚氨酯抛光垫通常由聚氨酯和无纺布复合制备而成。具有......
随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一。由于化学机械抛光......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
化学机械抛光是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的重要技术,作为CMP系统的关键部件之一,抛光垫对抛光效率及抛光质量有......
抛光垫是化学机械抛光的重要组成部分,其磨损的非均匀性对被加工工件面型精度和抛光垫修整有重要影响。基于直线摆动式抛光方式,研......
抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为：......
基于DWPI数据库,通过检索、统计和分析国内外CMP抛光垫技术专利申请文献,分析CMP抛光垫技术领域的研究现状,归纳总结CMP抛光技术的......
