论文部分内容阅读
采用射频反应磁控溅射金属钇耙的方法,在硅衬底成功制备了高介电Y2O3薄膜。并深入研究了Y2O3薄膜的微结构和Y2O3/Si体系的界面结构在高温退火过程中的变化规律。研究结果表明：在400～500℃之间,Y2O3薄膜有一个从单斜相向立方相的物相结构转变过程。在高温退火过程中,Y2O3/Si有界面层SiO2生成,并且随着退火温度增加,界面层SiO2的厚度也在逐渐增加。