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采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜，研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响．结果表明：经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异，其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好，主要成分是VO2，在65℃左右表现出明显的电阻突变，常温下在波长1700nm附近薄膜的光透过率达59．9％；在VO2薄膜中掺入W^6＋，相变温度有所降低，但掺杂使薄膜光透过率降低．