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为了解决如高温200C等恶劣环境下的压力测量问题，基于微机电系统（MEMS）和高能氧离子注入（SIMOX）技术，研制了一种量程为0～120kPa的坻阻式压力传感器。该传感器芯片由硅基底、薄层二氧化硅、惠斯登电桥结构的硼离子注入层、氮化硅应力匹配层、钛铂-金梁式引线层和南湿法刻蚀形成的空腔组成。在氧剂量1．4×10^18／cm^2和注入能量200keV条件下，Fh高能氧离子注入技术形成厚度为367nm的埋层二氧化硅层，从而将上部测量电路层和硅基底隔离开，解决了漏电流问题，使得传感器芯片可以在高温2