【摘 要】
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用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向
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用Ａｒ~＋离子束溅射高纯多晶Ｎｉ靶，在Ｓｉ（１００）基面上沉积１５０ｎｍ的Ｎｉ膜。经４００℃的真空退火１小时后，分别用ＸＲＤ和ＸＰＳ检验了两种大小不同角度上沉积试样的生成相及界面态。当沉积角≥６６°时，试样退火后仅出现Ｎｉ膜择优取向晶化，无硅化物生成。而在接近０°的小角度处沉积的试样，在相同条件退火后则出现以ＮｉＳｉ为主的三种硅化物混合相。
A high purity polycrystalline Ni target was sputtered with an Ar + ion beam and a 150 nm Ni film was deposited on the Si (100) base. After annealed at 400 ℃ for 1 hour under vacuum, the formation phases and interface states of the deposited samples at two different sizes were examined by XRD and XPS. When the deposition angle is greater than or equal to 66 °, only the preferential orientation crystallization of Ni film occurs after the sample is annealed, and no silicide is formed. However, the samples deposited at a small angle close to 0 ° appeared three NiSi-based mixed phases after annealing under the same conditions.
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Q首先请介绍一下您的工作及现状。A2006年,我大学毕业,进入省政府办公厅主管的一家杂志担任责任编辑,开启了与文字相伴的旅程。随着工作经验的不断积累、阅历的不断丰富和人