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将双基区晶体管与一光电探测器件相结合首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强发迹频率２．０×１０＾５Ｈｚ和每ｌｕｘ光强改变频率２．８×１０＾５Ｈｚ的实验结果。
光控调频效应的实验研究
【摘 要】
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将双基区晶体管与一光电探测器件相结合首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强发迹频率２．０×１０＾５Ｈｚ和每ｌｕｘ光强改变频率２．８×１０＾５Ｈｚ的实验结果。
【机 构】
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天津大学电子工程系,天津大学科研处
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年1期
【基金项目】
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自然科学基金资助项目
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