【摘 要】
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采用化学溶液沉积法在Si衬底上生长立方结构的δ-Nb-Ti-N薄膜和δ-NbN薄膜,系统研究了掺杂前后薄膜颗粒度/晶粒度、微应力、N含量、载流子浓度及迁移率对超导转变温度、正常
【基金项目】
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国家自然科学基金(1180041106),安徽省自然科学基金(1808085QE141),安徽科技学院人才引进项目(HCYJ201705),安徽省科技重大专项基金(18030901087)
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采用化学溶液沉积法在Si衬底上生长立方结构的δ-Nb-Ti-N薄膜和δ-NbN薄膜,系统研究了掺杂前后薄膜颗粒度/晶粒度、微应力、N含量、载流子浓度及迁移率对超导转变温度、正常态电阻率和上临界场等的影响。得到如下结果:Ti组分的掺杂,使δ-Nb-Ti-N薄膜的晶格常数增大,晶粒尺寸减小,正常态电阻率升高,载流子浓度增大,超导转变温度TC升高,根据BCS理论和GL方程进行综合分析,BC2(0)由TC、N和晶粒尺寸共同影响,总的结果为Ti组分的掺杂使BC2(0)升高。
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