【摘 要】
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主要研究了硫化钨(WS2)/硫化钼(MoS2)薄膜异质结的制备及其光电特性.首先以WS2粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积WS2薄膜,然后以MoS2粉末为原料在WS2薄膜表
【机 构】
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苏州科技大学数理学院,江苏苏州 215011
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主要研究了硫化钨(WS2)/硫化钼(MoS2)薄膜异质结的制备及其光电特性.首先以WS2粉末为原料,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积WS2薄膜,然后以MoS2粉末为原料在WS2薄膜表面沉积MoS2薄膜形成WS2/MoS2异质结.利用原子力显微镜(AFM)观察发现制备的WS2和MoS2薄膜大面积均匀,表面分布密集的纳米粒子,高度分别约为0.8 nm和50 nm.WS2/MoS2异质结对可见光有良好的吸收特性,并随光功率的增加,流过异质结的光电流也显著增加.另外,还发现WS2/MoS2异质结在温度和工作频率改变时I-V曲线也出现明显变化.随温度升高,流过异质结的电流显著增加,而随工作频率的增加,异质结的电容迅速减小.以上研究结果表明,WS2/MoS2异质结容易受到光照强度、温度和工作频率的影响,使其可用于制备高效率的太阳电池、光探测器和温度传感器等光电子器件,在光电子领域具有广阔的应用前景.
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