【摘 要】
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测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽拉曼散射峰,分别对应于Si-Si、Si-C、C-C键.
【机 构】
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中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所,中国科学院新疆物理所
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测量了用高频溅射法生长的非晶碳化硅薄膜的室温拉曼谱.观察到在400—600cm~(-1)、700-1000cm~(-1)、1200—1600cm~(-1)处的三个宽拉曼散射峰,分别对应于Si-Si、Si-C、C-C键.并发现在不同电阻率的样品中三个峰的相对强度有明显的差别.同时测量了高频溅射法生长的非晶锗-碳薄膜的室温拉曼谱.与非晶碳化硅薄膜不同,没有观察到对应于Ge-C 键的拉曼散射峰.
The Raman spectra of amorphous silicon carbide thin films grown by high frequency sputtering were measured at 700-600cm -1, 1200-1600cm -1, Three wide Raman scattering peaks corresponding to Si-Si, Si-C and CC bonds, respectively, and found that the relative intensities of the three peaks in the samples with different resistivities are significantly different. The effects of high frequency sputtering Raman spectrum of amorphous germanium-carbon thin films grown by the method of Raman scattering.Compared with amorphous silicon carbide thin films, no Raman scattering peaks corresponding to Ge-C bonds were observed.
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