0．18μm CMOS工艺5GHz WLAN功率放大器设计

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【摘要】

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介绍采用TSMC公司的0．18μmCMOS工艺应用于5GHz WLAN（无线局域网）发射集中的功率放大器的设计方法，并给出了仿真结果。电路采用A类三级放大结构，在3．3V工作电压下，增益为23．7dB，1dB压

【作者】

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杨柯王志功李志群

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所

【出处】

：

电子工程师

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

功率放大器无线局域网 CMOS 射频集成电路 power amplifier WLAN CMOS RFIC

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介绍采用TSMC公司的0．18μmCMOS工艺应用于5GHz WLAN（无线局域网）发射集中的功率放大器的设计方法，并给出了仿真结果。电路采用A类三级放大结构，在3．3V工作电压下，增益为23．7dB，1dB压缩点输出功率21．8dBm，最大功率附加效率15％，可望用于WLAN 802．11a标准的系统中。

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