H2O2处理对于ZnO薄膜性能的影响

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【摘要】

：

本文研究了对ZnO薄膜的光致发光、晶体缺陷、晶粒尺寸和表面形貌的影响.采用PL测试表征材料的缺陷密度,用HR-XRD表征薄膜的结晶情况,用SEM表征ZnO薄膜材料的表面形貌.结果表

【作者】

：

李博高晓红张文通王天宇金宝昌

【机构】

：

吉林建筑大学电气与计算机学院

【出处】

：

电脑知识与技术

【发表日期】

：

2019年3Z期

【关键词】

：

射频磁控溅射 ZnO薄膜 H2O2处理

【基金项目】

：

大学生创新创业训练计划项目(201810191050)

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本文研究了对ZnO薄膜的光致发光、晶体缺陷、晶粒尺寸和表面形貌的影响.采用PL测试表征材料的缺陷密度,用HR-XRD表征薄膜的结晶情况,用SEM表征ZnO薄膜材料的表面形貌.结果表明经3%浓度的H2O2处理10s的ZnO薄膜缺陷显著降低,结晶情况有所改善,晶粒尺寸增大.利用H2O2处理可以降低ZnO薄膜的缺陷态,提高了其在应用中的电学稳定性.

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