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从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段，理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路、提高国内三代微光器件性能的有效途径。
变掺杂GaAs光电阴极的研究进展
【摘 要】
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从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处
【机 构】
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南京理工大学电子工程与光电技术学院,南阳理工学院电子与电气工程系
【出 处】
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材料导报
【发表日期】
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2009年19期
【基金项目】
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国家自然科学基金（60678043）,教育部高等学校博士点基金资助项目（20050288010）
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