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采用MOCVD法在蓝宝石（0001）单晶衬底上生长AlN压电薄膜。用XRD和原子力显微（AFM）技术表征薄膜的微观结构。研究了衬底温度、TMA和NH3流量、反应室气压对AIN薄膜织构特性的影响，并对薄膜生长的工艺参数进行了相应优化。结果表明：在优化条件下制备的AIN薄膜高度c轴择优取向，（0002）峰摇摆曲线半高宽仅为0．100，且薄膜表面平整，椭圆偏振法测出其折射率为2.0～2．4。