ZnO/MgZnO单量子点内的激子态和带间光跃迁

来源 :河南师范大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：ss501love

【摘要】

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ZnO作为一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，激子结合能高达60meV，有较低的介电常数，以及好的光电和压电特性．和ZnSe、GaN和SiC相比，ZnO显示出更大的发展潜力．基于这方面的研

【作者】

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危书义魏玲玲王雁

【机构】

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河南师范大学物理与信息工程学院

【出处】

：

河南师范大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2007年3期

【关键词】

：

量子点内建电场激子 ZNO

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ZnO作为一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，激子结合能高达60meV，有较低的介电常数，以及好的光电和压电特性．和ZnSe、GaN和SiC相比，ZnO显示出更大的发展潜力．基于这方面的研究，实验已证实宽带隙MgZnO是很好的候选材料，由它们制备的ZnO基异质结构的有效带隙能够在很大的范围内变化，由于量子尺寸效应的存在，电子和空穴在空间上受到很大的限制作用，

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