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用放电等离子烧结（spark plasma sintedng，SPS）技术，以质量分数（下同）为9％氮化铝（AIN），3％氧化镁（MgO）为烧结助剂，在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅（Si3N4）陶瓷。半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率，最大透过率为66．4％。SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构，有利于提高透过率。SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变，是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键。报道