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介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法。该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降，来得到保护控制信号，实现对功率MOSFET的保护。经实验及工程应用验证，该方法具有保护动作速度快。电路结构简单、可靠的特点。
基于功率MOSFET导通压降的短路保护方法
【摘 要】
：
介绍了一种基于检测功率MOSFET导通压降实现短路保护的方法。该方法利用功率MOSFET自身导通电阻产生的导通压降，来得到保护控制信号，实现对功率MOSFET的保护。经实验及工程应用
【机 构】
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合肥工业大学
【出 处】
：
电力电子技术
【发表日期】
：
2009年8期
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