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在覆盖SiO2的n-Si（100）衬底上,采用等离子体增强化学沉积法（PECVD）制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱（AES）测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射（XRD）确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto