在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子......

在覆盖SiO2的n-Si（100）衬底上,采用等离子体增强化学沉积法（PECVD）制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱（AE......