论文部分内容阅读
FSI国际有限公司近日发布全新的ViPR技术，该项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤，包括1x1017离子／厘米2等离子掺杂（PLAD）光刻胶，这项ViPR技术同样适用于FSI全新的ZETA G3喷雾清洗平台。FSI公司市场营销副总裁Scott Becker博士介绍说，在制造工艺不断向亚微米和深亚微米迈进时，芯片制造商面对的一个挑战是如何减少材料的损失。传统的工艺需要灰化加清洗等多个工序，且容易造成硅片表面氧化和警惕损伤，而FSI公司新的全湿法去除方案可以将材料损失减少50％以上，并