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本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法,并通过大量的实验证实了这种方法的可行性。这种方法无须象传统方法那样对样品进行严格的研磨、抛光,将制作、显示一个样品所需时间由原来的80min左右缩短为5min左右。本方法具有迅速、准确、简单可靠等特点,可供研究晶体缺陷时参考。
锑化铟位错显示中后处理的效果
【摘 要】
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本文提出了半导体锑化铟单晶位错显示中对样品处理的一种新方法,并通过大量的实验证实了这种方法的可行性。这种方法无须象传统方法那样对样品进行严格的研磨、抛光,将制作、
【机 构】
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河北大学物理系
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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1990年3期
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