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用热脱附谱(TDS)研究H2O在磷硅玻璃(PSG)中被吸附的问题.PSG是在400℃左右用化学气相淀积(CVD)方法生长的,在生长过程及以后的工序中容易吸收H2O,使器件失效.TDS是由25℃开始以20℃/min均匀升温到800℃获得的.由TDS的残余气体分析(RGA)模式可以推出H2O在PSG中的可能结合形式.建立生长、吸附、扩散和脱附等几个模型,通过实验测量了PSG中脱附的H2O随时间、温度、湿度等环境条件的变化.在vLSI多层布线中这些结果决定了许多工艺参数,如烘烤时间、金属淀积前的等待时间等.