【摘 要】
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合成工艺方式淀积的膜层质量和类型使用的基片/(需要核化 优点 缺点加强处理) 化学气相淀积(CVD):(1)热丝 厚度为1000— Si,Mo(用金 CVD 5000A的很薄的 刚石/SiC刻痕 金刚石
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合成工艺方式淀积的膜层质量和类型使用的基片/(需要核化 优点 缺点加强处理) 化学气相淀积(CVD):(1)热丝 厚度为1000— Si,Mo(用金 CVD 5000A的很薄的 刚石/SiC刻痕 金刚石膜,表面 以加强成核能 粗糙,不透明 力)(2)电子辅助 不透明,膜的 Si和高熔点 CVD 表面粗糙,表 金属(无)
Synthetic process Deposition of the film quality and type of substrate used / (need to nucleate the advantages and disadvantages of strengthening treatment) Chemical vapor deposition (CVD) :( 1) hot filament thickness of 1000-Si, Mo (with gold CVD 5000A (2) electron-assisted opaque, film Si and high melting point CVD surface roughness, the surface of the metal (none) of the thin diamond / SiC notch diamond film, the surface to enhance the nucleation energy rough, opacity)
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