【摘 要】
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采用事件相关电位技术和三类刺激的经典oddball范式,以内隐的方式探讨内倾特质个体的自我参照加工程度效应及其神经机制。实验发现,在P2的波幅上,在头皮前部电极、头皮前中部电极和中部电极高自我相关的刺激比其它刺激诱发了更大的P2波幅。在P2的潜伏期上,在头皮前部电极、中部电极、和中后部电极高自我相关的刺激比其它刺激诱发了更短的潜伏期。在N2的波幅上,高自我相关名字比其它刺激在左脑所诱发了更大的P2的波幅;对比内倾特质被试,中间型被试的高自我相关名字比其它刺激诱发了更大的N2的波幅。在N2的潜伏期上,高自我
【机 构】
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湖南师范大学教育科学学院,长沙410081中国科学院心理研究所,北京100101
【基金项目】
:
国家自然科学基金面上项目(31171003); 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(博导类)(20124306110010); 中国博士后科学基金面上项目(2014M561086); 教育部人文社会科学研究规划基金项目项目(13YJA190001); 湖南省自然科学基金(2015JJ2101,2015JJ2097)的资助
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采用事件相关电位技术和三类刺激的经典oddball范式,以内隐的方式探讨内倾特质个体的自我参照加工程度效应及其神经机制。实验发现,在P2的波幅上,在头皮前部电极、头皮前中部电极和中部电极高自我相关的刺激比其它刺激诱发了更大的P2波幅。在P2的潜伏期上,在头皮前部电极、中部电极、和中后部电极高自我相关的刺激比其它刺激诱发了更短的潜伏期。在N2的波幅上,高自我相关名字比其它刺激在左脑所诱发了更大的P2的波幅;对比内倾特质被试,中间型被试的高自我相关名字比其它刺激诱发了更大的N2的波幅。在N2的潜伏期上,高自我相关的刺激在全脑都比其它刺激诱发了更短的N2潜伏期,且中后部电极位置的潜伏期最短;两类人格被试的高自我相关名字比其它刺激诱发了更短的N2潜伏期,但中间型人格被试的潜伏期最短。在P3平均波幅上,高自我相关的刺激在全脑都比其它刺激诱发了更大的P3波幅,其中中部脑区效应最大。研究结果表明内倾特质个体的自我参照加工具有程度效应,但对比中间型个体,内倾特质个体的自我参照加工的程度效应更弱。
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