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本文在二次磁控忆阻器两端并联了一个可调电容,建立一个新型的忆阻器,分析了改进忆阻器的伏安特性,并在multisim仿真平台上观察该忆阻器端口电流随端口电压的变化.再将改进型忆阻器并接到colpitts电路的C6的两端,利用multisim中示波器观察电容器电容和乘法器乘法因子对混沌信号的影响.