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为了刻蚀出低损耗波导沟道，对光刻和反应离子束蚀刻（RIE）中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践，提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽，并对不能完全消除的展宽分析给出原因。实验结果表明展宽得到有效的改善。
厚胶光刻蚀刻中的图形展宽分析与改善研究
【摘 要】
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为了刻蚀出低损耗波导沟道，对光刻和反应离子束蚀刻（RIE）中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践，提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀、光学稳定等措施减小展宽，并
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
【出 处】
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光学仪器
【发表日期】
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2007年6期
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