反应离子束刻蚀相关论文
PEDOT：PSS的水溶液具有可旋涂成膜特性，可见光区透光率高等优点，是QLED中常用的空穴传输层材料，其大气环境下可稳定存在，相较其它层......
在大规模集成电路发展过程中,随着集成度的不断提高,要求电路的线条不断变细,等离子、离子束及反应离子刻蚀等加工工艺将起着重要......
具有较小间距的纳米电极的制备对于纳米器件的构筑起着至关重要的作用.纳米压印技术在制备纳米电极方面具有独特的优势.本文利......
采用无皂乳液聚合法制备了不同尺寸的亚微米级、单分散聚苯乙烯微球；利用液面自组装技术制备了大面积、密排的微球模板；利用胶体......
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响.使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图......
现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直.通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡......
介绍了Ar/CHF3反应离子束刻蚀和离子束入射角对图形侧壁陡直度及刻蚀选择比的影响.使用紫外曝光技术在SiO2基片上获得光刻胶掩模图......
以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光......
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中，针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题，提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法，来实现对相位掩......
对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃......
分焦平面像素偏振片的单元大小为像素尺寸,能够集成到CMOS相机的像元表面,可以实现多方向同时偏振成像探测。利用电子束曝光和ICP......
全息光刻-反应离子束刻蚀是一种非常重要的制作光栅的方法,而如何解决全息曝光中的驻波问题,提高光栅的制作质量,实现该方法向硅材......
应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构，并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件．在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模......
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为了刻蚀出低损耗波导沟道，对光刻和反应离子束蚀刻（RIE）中影响展宽的工艺条件进行理论分析和实验实践，提出采用多次旋涂、消除芽孢、......
本文通过微结构结合镀膜的方法成功设计和制备了中红外宽带减反射元件。首先,根据实际应用需求,利用FDTD solutions软件,模拟了微......
应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2......
相比类矩形槽罗兰光栅,闪耀罗兰光栅的衍射效率较高,更有利于光谱分析仪器的设计与应用,而国内外尚无产品级闪耀罗兰光栅产品.本文......
阶梯光栅一般是指具有90°顶角的三角形槽型的闪耀光栅,通常有小阶梯光栅与中阶梯光栅之分。区别于中阶梯光栅,小阶梯光栅线密度较......
本文主要对锗硅量子点的制备及性质进行了研究。本文研究了通过图形衬底制备量子点的生长方式,并研究了生长参数和衬底条件对量子......
离子束刻蚀作为真空技术的一种重要应用,已广泛运用于现代微电子器件和微光学器件的制作工艺中。本文结合反应离子束刻蚀与全息光......
