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提出一种用二维器件数值模拟和负偏压温度不稳定性（negative bias temperature instability，NBTI）模型联合计算的方法，分析NBTI效应产生的界面电荷对pMOS器件栅氧化层电场和沟道空穴浓度的反馈作用．通过大量计算和比对分析现有实验得出：当NBTI效应产生较多的界面电荷时，由于界面电荷反馈，pMOS器件的NBTI退化将有一定程度的减小．这种退化减小是一种新的退化饱和机制，对不同类型器件的寿命具有不同的影响．在低NBTI器件中，界面反馈对器件寿命曲线的变化影响不大，器件寿命