【摘 要】
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利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀SiO2膜,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善.器件平均输出功率提高了49.8%
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【基金项目】
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国家 973基金资助项目 ( G2 0 0 0 0 683 -0 2 ) ;北京市自然科学基金 ( 4 0 3 2 0 0 7) ;国家 863计划资助项目 ( 2 0 0 2 AA3 12 0 70 ) ;国家重大项目国家自然科学基金 ( 6988960 1)
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利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀SiO2膜,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善.器件平均输出功率提高了49.8%,平均阈值电流下降了7%,平均斜率效率提高了50%,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好,膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点,器件的可靠性也有明显提高.
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