【摘 要】
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提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaIInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn
【机 构】
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北京工业大学北京市光电子技术实验室
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提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaIInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AIGaInP LED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED),去掉外延片CaAs衬底,把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规A1GaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)带有DBR的AIGaInP吸收衬底LED8(AS-LED(DBR))电、光特性的比较,证明新型全方位反射AIGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20 mA下峰值波长627 nm)的轴向光强达到194.3mcd,是AS-LED(20 mA下峰值波长624 NM)轴向光强的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20 mA下峰值波长623 nm)轴向光强的1.6倍.
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