【摘 要】
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<正>电磁灶厚膜集成功率模块在设计上采用高频、高反压、大电流芯片及带有阻尼二极管的两级放大达林顿电路结构。这样,既可实现大电流超高压和低饱和压降,又能保证在大电流下
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<正>电磁灶厚膜集成功率模块在设计上采用高频、高反压、大电流芯片及带有阻尼二极管的两级放大达林顿电路结构。这样,既可实现大电流超高压和低饱和压降,又能保证在大电流下工作而不超出模块内部各组成元件的额定范围。因此具有大功率、低饱和压降、工作温升小和可靠性高等特点。具有代表性的是日本SANSHA公司的SQD35JA160、SQD50AB100和日本三菱电机公司的QM50HC、QM30HC等。其主要性能为P_cM≥300W,I_b≥2A,I_cM≥30A,BVceo、BVcbo≥1600V,HFE≥
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