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立方碳化硅（3C-SiC）薄膜通过化学气相沉积（CVD）制备在Si（100）衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪（SE）和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析：可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明：该碳化硅（3C-SiC）薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。