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介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理，提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案，分析了器件的性能，对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。
P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器研究
【摘 要】
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介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理，提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs／AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案，分析了器件的性能，对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可
【机 构】
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华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所,河北省邢台职业技术学院电气工程系
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2008年8期
【基金项目】
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广东省科技计划项目（No、0711020500090）,广州市科技攻关重大项目（No.200521-130071）课题资助.
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