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接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析
接近式光刻中斜照明改善分辨率的模拟与分析
来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanweiwch
【摘 要】
:
根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布,并在几种条件下进行了模拟数值计算,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用
【作 者】
:
赵永凯
黄惠杰
路敦武
杜龙龙
杨良民
袁才来
蒋宝财
王润
【机 构】
:
中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
:
微细加工技术
【发表日期】
:
2001年2期
【关键词】
:
接近式光刻
准分子激光光刻
分辨率
斜照明
proximity lithography
excimer laser lithography
resolution
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布,并在几种条件下进行了模拟数值计算,分析了斜照技术的实用条件及改善光刻分辨率的效果和应用前景.
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