【摘 要】
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在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能.采用高真空反应磁控溅射方法,在环氧基片表面溅射TiO2、ZrO2、HfO2薄膜,使用快脉冲真空闪络
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目（50437030）
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在绝缘材料表面制备半导电性及高导热系数的涂层可以明显提高材料的沿面闪络性能.采用高真空反应磁控溅射方法,在环氧基片表面溅射TiO2、ZrO2、HfO2薄膜,使用快脉冲真空闪络实验装置（50ns/600ns,前沿和半高宽时间）,在真空度5×10^（-3）Pa时,研究了上述三种氧化物薄膜的真空闪络特性.实验发现,TiO2和ZrO2薄膜以无定形态存在,表面颗粒未晶化,而HfO2薄膜已经晶化.TiO2薄膜的闪络电压最高,HfO2薄膜较低.TiO2和HfO2随着溅射时间的增加,镀膜的真空闪络电压有所提高,
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