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采用第一原理密度泛函理论方法研究了小富勒烯C28在Si（001）-c（2×1）表面的化学吸附机理，分析了吸附前后基底和富勒烯构型的变化、吸附能、电荷转移以及电子态密度．结果表明：C28与Si（001）表面具有很强的相互作用；基底和富勒烯分子发生了晶格松弛和结构扭曲；C28位于Si（001）表面沟渠位置的吸附构型最稳定，吸附能达到5．00eV；Si（001）表面沉积C28后表面导电性能明显增强．