【摘 要】
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MOS栅控晶闸管（MCT）以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/d
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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MOS栅控晶闸管（MCT）以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实验分析了di/dt较大的条件下,阴极电感对栅极和阴极之间电势差的影响。研究表明,MCT阴极电感不仅会影响脉冲放电回路的电流峰值及di/dt,还会造成器件阴极电势震荡,使栅极与阴极之间产生极高的电势差,进而造成栅氧化层因过压而损坏。通过分析器件失效机理,建立了脉冲放电过
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