搜索筛选:
搜索耗时0.0952秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:万彩萍,, 来源:新西部(下半月) 年份:2009
本文以初中八年级的学生为特殊研究对象,分析了存在的主要问题、具体情况和主客观原因,提出了解决问题的建议,认为正值青春期的学生们有自主权和专属于自己的空间,不再听从家...
[期刊论文] 作者:万彩萍,, 来源:华夏教师 年份:2016
在新课改之中,作业是一项非常重要的课改内容。笔者以实际教学经验出发,就初中英语课改过程中对英语作业所做出的改革进行了介绍与反思,希望能够为英语课改提供更多的支持,更...
[期刊论文] 作者:万彩萍, 来源:中国教育技术装备 年份:2009
义务教育英语课程标准及新目标英语教材走进农村中学。为了推进新课程教学改革的进行,教育局安排新教材新课改公开课活动。笔者承担七年级新目标英语的一节公开课。在英语课堂教学中,如何落实教改的要求和新课标的教学理念?面对本校的教学设备差、学生英语素质......
[期刊论文] 作者:万彩萍,, 来源:英语画刊(高级版) 年份:2016
学生学习困难是教学中的普遍现象,不仅是一线教师的关注重点,也是教育界和心理界的研究热点。初中是农村学生英语学习的起点入门阶段,也是关键时期。但大部分男生在初一阶段...
[期刊论文] 作者:万彩萍,, 来源:中外交流 年份:2018
随着素质教育改革的不断推进,小学数学的教育方式也随之发生变革,这对学校和教师都提出了更高的要求.小学数学教师在授课时,不仅要关注小学生在数学基础理论知识方面的积累,...
[学位论文] 作者:万彩萍, 来源:北方工业大学 年份:2017
[期刊论文] 作者:万彩萍,石彩霞, 来源:养生保健指南 年份:2017
目的 分析探讨鸟巢式护理在新生儿护理中的应用效果.方法 从在我院2016年3月至2017年3月出生的新生儿中,选取100例作为研究对象,并按照数字表法分为来两组,即对照组50例,观察...
[期刊论文] 作者:李祚泳,万彩萍, 来源:成都气象学院学报 年份:1998
为了选择与预报量有密切关系的因子和有代表性的样本,分别采用投影寻踪回归(PPR)和B-P神经网络对因子和样本进行优选。实例分析表明:优选出的样本保留了全部样本的大部分信息;用优选出的......
[期刊论文] 作者:万彩萍,田红林,王世海,周钦佩,许恒宇, 来源:智能电网(汉斯) 年份:2018
离子注入工艺作为SiC MOSFET/Diode器件制造过程的重要工艺过程,离子注入后激活退火的温度直接影响注入后晶格损伤的修复效果以及离子激活的程度,离子注入和激活退火一直是研...
[期刊论文] 作者:周钦佩,张静,夏经华,许恒宇,万彩萍,韩锴,, 来源:半导体技术 年份:2017
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5...
[期刊论文] 作者:万彩萍,王影杰,张文婷,王世海,周钦佩,许恒宇, 来源:智能电网(汉斯) 年份:2018
碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发...
[期刊论文] 作者:裴紫微,陈晨,杨霏,许恒宇,张静,万彩萍,刘金彪,李俊峰,金, 来源:智能电网(汉斯) 年份:2015
碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有...
[期刊论文] 作者:夏经华,桑玲,查祎英,杨霏,吴军民,王世海,万彩萍,许恒宇, 来源:微纳电子技术 年份:2020
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料Al...
相关搜索: