搜索筛选:
搜索耗时0.0697秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 12 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：俞斌才,邓志杰,
来源：稀有金属 年份：1992
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用...
[期刊论文] 作者：邓志杰,俞斌才,刘锡田,
来源：仪器仪表学报 年份：1980
GaP是日益广泛应用的发光材料,大量用于制备发光二极管（LED）。GaP中掺入不同杂质可分别发射红、绿、黄、橙四色光。LED具有功耗低（mW级）、寿命长（105～109小时）、可靠性高、响应......
[期刊论文] 作者：邓志杰,俞斌才,刘锡田,,
来源：仪表材料 年份：1980
介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉...
[期刊论文] 作者：邓志杰,俞斌才,刘锡田,
来源：发光与显示 年份：1980
利用国产ZFL 018型高压单晶炉和液封直拉(LEC)法生长了掺碲(硫)GaP单晶,其常温电学参数为;n_(Te,s)～(2～15)×10~(17)cm~(-3);μ_n～(86～134)cm~2/sv;位错密度(1～4)×10~4cm~(-2)。...
[期刊论文] 作者：郑安生,邓志杰,俞斌才,
来源：稀有金属 年份：2004
在整个化合物半导体工业中,光电子工业一直占主导地位.本文概述了化合物半导体材料在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、太阳电池(SC)和光探测器(PD)方面的应用现状及发展趋...
[期刊论文] 作者：邓志杰,郑安生,俞斌才,,
来源：中国集成电路 年份：2002
一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输...
[期刊论文] 作者：邓志杰,郑安生,俞斌才,,
来源：中国集成电路 年份：2003
Si 和 Ge 是开发最早、生产工艺最为成熟的半导体材料,用它们的合金或异质结材料来提升单纯Si 或单纯 Ge 材料及其器件的性能是人们自然的追求。1984年贝尔实验室首先用...
[期刊论文] 作者：邓志杰,郑安生,俞斌才,,
来源：中国集成电路 年份：2002
前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始的。 InP与GaAs一样,不仅是重要的半导体光电...
[会议论文] 作者：尹士平,俞斌才,郑安生,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径...
[会议论文] 作者：尹士平,俞斌才,郑安生,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
用高压液封直拉法(LEC法)制备单晶,关键问题是解决直径控制,其直径控制的精度,直接影响到单晶的完整性和位错密度.本文阐述了LEC法制备GaP单晶过程中,用计算机来控制单晶直径的原理,及用计算机闭环控径制备GaP单晶的初步结果.同时还介绍了LEC法制备GaP单晶直径......
[期刊论文] 作者：俞斌才,邓志杰,马三胜,刘锡田,
来源：稀有金属 年份：1992
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况...
[期刊论文] 作者：刘锡田,王永鸿,俞斌才,邓志杰,马碧春,马三胜,孙天亮,王惠林,李其胜,武希康,杨蕴华,
来源：稀有金属 年份：1985
我们采用高压液封原位合成直拉法(简称 HPDSLEC 法),在热解氮化硼坩埚或石英坩埚里生长不掺杂〈100〉砷化镓单晶。单晶直径φ30～50毫米,重量750克,成晶率80%。我们对不同熔体...
相关搜索：
