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[学位论文] 作者：刘梦新,,
来源：西安理工大学 年份：2006
SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及无热激发闩锁效应等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。但由于SOI结构中的隐埋氧化层热传导率较差,使得器件有源区内...
[学位论文] 作者：刘梦新,,
来源：江西师范大学 年份：2016
公务员考核,顾名思义,就是对公务员工作的考察和评鉴。我国古代对于官吏考核始于夏商周时期,经过春秋“上计”制度,秦汉“五善五失”、唐代“考课令”、宋元“审官院和考课院...
[期刊论文] 作者：刘梦新,,
来源：法制博览(中旬刊) 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：刘梦新,,
来源：商 年份：2013
有限合伙制度本身是一个颇具实践性的课题，其出现和发展也是近代商业贸易、尤其为海商贸易的结果，随后被新兴风险投资看重，逐步在发达资本主义国家推广。笔者试图通过叙述其历史......
[学位论文] 作者：刘梦新,
来源：中国科学院微电子研究所 年份：2009
由于SOI技术可显著降低减器件的寄生电容和衬底射频功率损耗，有效的避免短沟道效应并获得更高的跨导，消除衬底带来的串扰和闩锁效应，并且在SOI衬底上制造LDMOS功率器件可以获得......
[学位论文] 作者：刘梦新,
来源：西南交通大学 年份：2016
初始元胞自动机模型经过发展之后,形成了很多较为成熟的模型,其中地场元胞自动机模型便是一类有效地模拟行人流的模型。本文在地场元胞自动机模型基础之上结合区域势场和行人...
[期刊论文] 作者：刘梦新,,
来源：东方文化周刊 年份：2014
美国是一个立法权、行政权和司法权三权分立的民主国家，如此来定义美国这么一个三权分立的民主形象不仅仅是基于其政权初始的构建模式是拥有总统、国会和法院三个标志性相互独......
[学位论文] 作者：刘梦新,
来源：安阳师范学院 年份：2022
新冠疫情的爆发对人们的生活产生了很大的影响,对外汉语教学工作也由线下转到了线上,汉语教师们一直在不断努力优化线上教学模式。越来越多的人意识到,学好一门语言,要从它的文化开始,体演文化教学法作为一种新的教学方法,吸收了很多教学法的优点,受到了很多教......
[期刊论文] 作者：张新,刘梦新,
来源：集成电路通讯 年份：2008
尽管可以通过对主要结构和工艺参数的优化找到缓解自加热效应的途径，但这种改变硅膜厚度和埋氧层厚度的办法在工艺上是较难实现的，因而解决SOICMOS器件中浮体效应和自加热效应......
[期刊论文] 作者：张新,刘梦新,
来源：集成电路通讯 年份：2010
在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构，空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去，同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研......
[期刊论文] 作者：刘梦新,邓洋,
来源：绵阳师范学院学报 年份：2016
为了更方便的研究Dunford-Pettis算子及几乎极限算子的相关性质,文章给出了几乎弱算子的定义,以此建立者两种算子之间的桥梁.本文利用了构造不交列的技巧,用序列的形式给出了...
[期刊论文] 作者：张新,高勇,安涛,刘梦新,,
来源：集成电路通讯 年份：2006
介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势，分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能，提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结......
[期刊论文] 作者：刘梦新,刘刚,韩郑生,,
来源：半导体技术 年份：2010
基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性...
[期刊论文] 作者：陈蕾,宋李梅,刘梦新,杜寰,,
来源：半导体技术 年份：2009
探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导...
[期刊论文] 作者：卢烁今,刘梦新,韩郑生,,
来源：半导体学报 年份：2009
The thermal conductance of devices with different body contacts is studied.A new analytical expression is proposed.This expression can be used in parameter extr...
[期刊论文] 作者：吕荫学,刘梦新,罗家俊,
来源：半导体技术 年份：2004
设计了一款与CSMC,0.5 μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响.此外,通过...
[期刊论文] 作者：胡留春,张娟,刘梦新,明浩,,
来源：商场现代化 年份：2012
本文研究了中心极限定理在经济学中的应用。首先介绍了中心极限定理的两种常用的形式,接着以经济学中的一块具体的领域进行分析说明,从两个角度来阐述中心极限定理的应用,即:...
[期刊论文] 作者：刘鑫,赵发展,刘梦新,韩郑生,,
来源：电子设计工程 年份：2014
缩短汉明码及其改进码字被广泛使用在宇航级高可靠性存储器的差错检测与纠正电路中。作为一种成熟的纠正单个错误编码,其单字节内多位翻转导致缩短汉明码失效的研究却很少。...
[期刊论文] 作者：杨媛,高勇,余宁梅,刘梦新,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元...
[期刊论文] 作者：王菡滨,刘梦新,毕津顺,李伟,
来源：微电子学 年份：2021
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究...
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