搜索筛选:
搜索耗时0.0827秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 21 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：刘松,单光宝,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首...
[期刊论文] 作者：李占文,单光宝,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
基于VOx的非致冷红外传感器是当前MEMS的研究热点。VOx的制作是关键工艺,而VOx多价态共存,优化工艺以提高VO2在VOx中的比例、制备高性能的VOx薄膜为核心技术。采用直流磁控溅...
[期刊论文] 作者：张巍, 单光宝, 杜欣荣,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反...
[会议论文] 作者：单光宝,刘松,杜欣荣,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
为准确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生参数的解析模型做了频率项修正.采用仿真工具...
[期刊论文] 作者：单光宝,刘佑宝,魏海龙,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2006
根据物体相对运动理论,采用能量法表述了建立硅微加速度计功能组件模型的一般方法,并以Verlog-A为模型编码语言实现了硅微加速度计参数化组件模型。利用这些参数化的功能组件...
[期刊论文] 作者：陈晓宇,单光宝,赵杰,,
来源：半导体技术 年份：2014
研究了激光退火工艺中由于硅片表面图形/颗粒诱生的波纹结构和形成波纹的临界能量,分析了波纹产生的机理,并提出了预防措施。使用原子力显微镜(AFM)观察波纹的形貌,通过俄歇...
[期刊论文] 作者：单光宝,魏海龙,刘佑宝,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
文章利用ANSYS软件对悬臂梁式硅微加速度传感器敏感芯片进行了设计仿真,给出了一种能满足:量程50g,精度10-3要求的硅微加速度传感器的结构,并对加工时可能引入的工艺误差所带...
[期刊论文] 作者：魏海龙,单光宝,刘建朝,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
文章介绍了一种“轿式”结构高精度微硅加速度计的总体结构。从振动机理出发,重点分析该加速度计的振动模态与结构参数的关系,得出了两者之间的函数关系,利用Ansys结构分析软...
[会议论文] 作者：单光宝,耿增建,阮晓明,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
硅微加速度计在辐照情况下输出电压会发生漂移,甚至出现失效模态.文中介绍了硅微加速度计的辐射效应及损伤机理,并给出了辐射剂量对加速度计输出电压影响的关系式;在文章最后...
[期刊论文] 作者：王永录,李兴凯,单光宝,
来源：电子元器件应用 年份：2003
介绍微型硅加速度传感器的研制概况，阐述微型硅电容式加速度传感器的工作原理、制作工艺技术，并对封装后的测试结果进行分析与探讨。...
[期刊论文] 作者：单光宝,郑彦文,章圣长,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
射频系统在电子战及5G通讯等方面具有广阔的应用前景,在电子设备小型化趋势推动下,射频系统在不断提升性能的同时逐步缩减体积、降低成本.射频系统与三维集成技术相结合在研制高性能、微型化及低成本射频微系统方面具有巨大潜力.综述了射频微系统集成技术,包括......
[期刊论文] 作者：单光宝,阮晓明,姚军,耿增建,
来源：电子元件与材料 年份：2005
介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁...
[期刊论文] 作者：单光宝,单雪岩,刘松,怡磊,,
来源：江苏师范大学学报(自然科学版) 年份：2015
分析硅通孔(through-silicon via,TSV)立体集成用于计算机处理芯片的优势.介绍TSV立体集成计算机处理器模块单元指令调度集、KS加法器和对数移位器等的发展现状,以及利用TSV...
[期刊论文] 作者：怡磊,单光宝,肖建青,刘松,,
来源：微电子学与计算机 年份：2016
介绍了三维处理器设计的基本内容，详细阐述了用于三维处理器中三维存储系统的设计方法及发展趋势，最后概括描述了目前三维处理器、三维存储系统设计中存在的问题，这将为国内三维......
A transmission line-type electrical model for tapered TSV considering MOS effect and frequency-depen
[期刊论文] 作者：刘松,单光宝,谢成民,杜欣荣,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
The analytical model of voltage-controlled MOS capacitance of tapered through silicon via(TSV) is derived. To capture the frequency-dependent behavior of tapere...
A transmission line-type electrical model for tapered TSV considering MOS effect and frequency-depen
[期刊论文] 作者：刘松,单光宝,谢成民,杜欣荣,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：单光宝,刘佑宝,李兴凯,陈福山,
来源：传感器技术 年份：2004
介绍了一种新的MEMS器件敏感芯片的制备技术———选择性电铸技术。以金为检测电极、铜为牺牲层、正胶作为电铸胎膜,在牺牲层上经过数次电铸形成MEMS器件敏感芯片的各组成部...
[会议论文] 作者：单光宝,姚军,阮晓明,王永录,
来源：第九届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：2005
本文介绍了体硅"掩膜-无掩膜"腐蚀的工作原理;以摆片式硅微加速度计敏感芯片的制作为例详细介绍了"掩膜-无掩膜"的工艺流程;利用该方法成功制作出摆片式硅微加速度传感器的对...
[会议论文] 作者：单光宝,刘佑宝,陈福山,李兴凯,
来源：2003年惯性仪表与元件学术交流会 年份：2003
介绍了一种新的MEMS器件敏感芯片的制备技术——选择性电铸技术.该技术以金为检测电极,某种金属作为牺牲层,用正胶作为电铸胎膜,在牺牲层上经过数次电铸形成MEMS器件敏感芯片...
[期刊论文] 作者：单光宝,杨银堂,刘佑宝,朱樟明,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2007
提出了硅微陀螺仪的集总建模方法.该方法将硅微陀螺仪划分为多个相互关联的基本单元,各基本单元的行为特征被集总到单元的节点端口上,并表征为矩阵形式.将根据物体相对运动理...
相关搜索：
