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[期刊论文] 作者：吕云安,,
来源：现代物业 年份：2008
本文论述了物业管理早期介入的意义和对后期物业服务管理工作的影响，从可行性研究、规划设计、设备选用、施工监理等方面，尤其是通过对施工监理阶段正反两方面的实例分析，指出了......
[会议论文] 作者：吕云安,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：T.Fukui,吕云安,,
来源：半导体情报 年份：2004
用金属有机化合物VPE方法成功地生长了与InAs晶格匹配的InAs_(1-x-(?))Sb_xP_(?)四元合金。在一个相当宽的组成范围内(0≤x+y≤0.7)生长的外延层显示一个镜面光亮的表面和一...
[期刊论文] 作者：R.C.Clarke,吕云安,,
来源：半导体情报 年份：2004
磷化铟汽相外延已用于沉积制备 FET 所需的亚微米多层结构。该结构是沉积在绝缘掺铁衬底上,由缓冲层、表面沟道层和 n~(++)接触层组成。缓冲层之 N_d-N_d50,000cm~2/v·s。表...
[期刊论文] 作者：R.D.Fairman,吕云安,,
来源：半导体情报 年份：2004
PCl_3/In/H_2的最新工作是揭示PCl_3克分子分数和质量输运效应对外延生长速度和净掺杂影响的互变关系。介绍了用改进了的比早期AsCl_3/Ga/H_2工艺更为适用的技术所进行的高纯...
[期刊论文] 作者：吕云安,刘玉兰,
来源：半导体情报 年份：1990
本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n~+层的外延材料用于功率GaAs MESFET...
[期刊论文] 作者：徐永强,吕云安,
来源：半导体情报 年份：1994
用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与......
[会议论文] 作者：吕云安,徐永强,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文介绍了用砷化镓、磷化铟三五族化合物半导体作为制作高灵敏度γ射线探测元件的材料的辐照实验结果.以及用该材料制成的电阻型γ射线探测元件用于GaAs电子开关的自触发电...
[会议论文] 作者：吕云安,艾广勤,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有AlO绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaAs材料同时进行Y瞬时辐射实验。结果表明：该材料比一般常规材料的防时脉冲光电流有明显下降，具有较强的抗丫瞬时辐时的能力。......
[期刊论文] 作者：吕云安,俞庆元,吴福民,,
来源：半导体情报 年份：2004
本文对 PCl_3-H_2-In 体系外延生长的热力学进行了计算。对影响外延生长速度的因素进行了详尽的讨论,发现竞争生长是影响生长速度重复性的重要因素。给出了铟舟状态对外延层...
[期刊论文] 作者：吕云安,刘玉兰,杨伟,何梅芬,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n~+层的外延材料用于功率GaAs MESFET...
[期刊论文] 作者：徐永强,吕云安,严振斌,张藏珍,
来源：半导体情报 年份：1994
用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与......
[期刊论文] 作者：陈开茅, 金泗轩, 邱素娟, 吕云安, 何梅芬, 兰李桥,,
来源：物理学报 年份：1994
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原......
[会议论文] 作者：李佳,齐国虎,陈昊,霍玉柱,吕云安,冯志红,冯震,蔡树军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm:室温下,样品的浓度为......
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