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[期刊论文] 作者：冯巍,夏经华,
来源：高分子材料科学与工程 年份：1998
采用ＳＦ６，Ｏ２和空气低温等离子体对双轴拉伸聚丙烯薄膜进行表面改性，考察了表面接枝对驻极性能的影响。表面电位被用作表征电荷贮存容量的参数，而热刺激电荷衰减的半值温度则是衡量电荷......
[期刊论文] 作者：冯巍,夏经华,屠德民,
来源：高分子材料科学与工程 年份：1998
采用ＳＦ６、Ｏ２和空气低温等离子体对双轴拉伸聚丙烯（ＢＯＰＰ）薄膜进行表面改性，考察了表面接技对驻极性能的影响。表面电位被用作表征电荷贮存容量的参数，而热刺激电荷衰减（ＴＳＣＤ）的半值温度（Ｔ１／２）则是衡量电......
[期刊论文] 作者：冯巍,夏经华,屠德民,
来源：绝缘材料通讯 年份：1997
本文运用射频辉光放电的低温等离子体在基底上沉积出均匀、透明的聚六甲基二硅气烷（HMDSO）聚合膜，用红外光谱揭示了材料的化学结构。通过击穿和伏安特性研究了等离子体聚合膜的......
[期刊论文] 作者：郑柳,潘艳,夏经华,刘瑞,杨霏,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退...
[期刊论文] 作者：查祎英,夏经华,桑玲,杨霏,王耀华,
来源：微纳电子技术 年份：2020
为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和电导增强的pn结二极管.通过在多层SiC外延层...
[期刊论文] 作者：夏经华,查祎英,桑玲,杨霏,吴军民,
来源：微纳电子技术 年份：2020
使用p+ n-n+外延结构制备了10 kV 4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺...
[期刊论文] 作者：周钦佩,张静,夏经华,许恒宇,万彩萍,韩锴,,
来源：半导体技术 年份：2017
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5...
[期刊论文] 作者：夏经华,桑玲,查祎英,杨霏,吴军民,王世海,万彩萍,许恒宇,
来源：微纳电子技术 年份：2020
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料Al...
[期刊论文] 作者：夏经华,桑玲,杨香,郑柳,查祎英,田亮,田丽欣,张文婷,杨霏,吴军民,
来源：微纳电子技术 年份：2020
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面.重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形...
[期刊论文] 作者：李文波,李玲,王方方,郑柳,夏经华,秦福文,王晓琳,李永平,刘瑞,王德君,潘艳,杨霏,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
The effect of phosphorus passivation on 4H-SiC(0001) silicon(Si) dangling bonds is investigated using ab initio atomistic thermodynamic calculations. Phosphorus...
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