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[期刊论文] 作者:石涌泉,孙纪芸,
来源:微电子学与计算机 年份:1987
利用兰宝石衬底上外延硅膜(SOS)制作互补MOS 集成电路具有许多潜在的优点,除了高集成度、高速、低功耗、工作电压范围宽、抗闩锁和设计灵活外,这种介质隔离的集成电路在抗核...
[期刊论文] 作者:石涌泉,孙纪芸,张秀珍,
来源:微电子学与计算机 年份:1987
离子注入用于CMOS/SOS 工艺具有许多潜在的优点:(1)它只需要一次外延硅薄膜生长,且在外延期间无需进行掺杂而生产成本征型;(2)可以精确地控制掺杂杂质的数量和掺杂深度分布....
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