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[学位论文] 作者：宋永梁,
来源： 年份：2004
氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。传统上，ZnO薄膜被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明电极、紫外探测器等领域。近年来，ZnO作为宽禁带半导体光电材料的研究越来越受到人们的重视。ZnO薄膜具有多项优点，如生长温度低，激子......
[期刊论文] 作者：季振国,何振杰,宋永梁,,
来源：物理学报 年份：2004
采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔...
[期刊论文] 作者：季振国,刘坤,向因,宋永梁,叶志镇,
来源：半导体学报 年份：2004
采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜．XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理，可以获得结晶状态很好的硅酸锌...
[期刊论文] 作者：宋永梁,季振国,刘坤,王超,向因,叶志镇,
来源：物理学报 年份：2004
采用溶胶 凝胶旋涂法在Si(111)衬底上生长了ZnO薄膜 ,并用荧光光谱、原子力显微镜和XRD对ZnO薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,溶胶 凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜为纤锌矿结构 ,其...
[期刊论文] 作者：季振国,宋永梁,杨成兴,刘坤,王超,叶志镇,
来源：半导体学报 年份：2004
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上使用旋转涂覆技术生长了ZnO薄膜．对薄膜的XRD分析表明ZnO薄膜为纤锌矿结构并沿c轴取向生长，透射光谱表明薄膜的禁带宽度为3．28eV，与ZnO体材料的......
[期刊论文] 作者：单文光,宋永梁,许晓锋,吴启熙,赵永,简维廷,,
来源：中国集成电路 年份：2015
本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3．3VN型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5．5V和O．65V电压，发现在电应力条件下的漏端电流Id随着施加应力的时间增加...
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