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[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,,
来源：航空兵器 年份：2006
在以MOCVD生长的未掺杂的n—Al0.3Ga0.7N上用Au制成了MSM结构的紫外光伏二极管。在M氛围下以不同温度对器件进行了退火实验，退火时间为10min。室温Ⅰ-Ⅴ曲线表明，500℃退火能有...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,刘炜,成彩晶,,
来源：航空兵器 年份：2006
实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一。p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现。本文介绍了利用金属Au、Cr／Au在P型GaN材料上做了接触性能研究，通过退火等...
[期刊论文] 作者：成彩晶,张向锋,丁嘉欣,,
来源：红外 年份：2008
本文对p-CaN与Ni／Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I—V变温测试曲线是线形的，表明Ni／Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触，是因为Ni／Pt与p-CaN接触在空气中退火时界面处的p...
[期刊论文] 作者：赵岚,鲁正雄,赵鸿燕,成彩晶,
来源：航空兵器 年份：2005
在N型AlxGa1-xN(x=0.19～0.25)薄膜表面热蒸发Au金属薄膜,经过退火后制成MSM结构的光电器件.测试其I-V曲线,从金属-半导体MSM结构肖特基二极管的理论模型推导了这种新型紫外器...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,鲁正雄,赵岚,成彩晶,
来源：红外技术 年份：2005
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理...
[期刊论文] 作者：成彩晶,鲁正雄,司俊杰,陈志忠,张国义,孙维国,
来源：红外 年份：2006
用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了金属-半导体-金属（MSM）结构紫外探测器.器件在2.5V偏压时的暗电流为1pA,在6.5V偏压时的暗电流为1nA.在1V偏压下和298nm波长处,探...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,司俊杰,鲁正雄,成彩晶,丁嘉欣,张亮,陈慧娟,
来源：激光与红外 年份：2007
研究了不同条件下的退火对高Al组分A1GaN P—I—N二极管性能的影响。研究结果表明，合适的退火条件既能使A1GaN与电极之间形成良好的欧姆接触，同时又能显著降低A1GaN P-I-N二极...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,司俊杰,丁嘉欣,成彩晶,张亮,张向锋,陈慧娟,,
来源：红外技术 年份：2007
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管（x≥0.4）,并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,司俊杰,鲁正雄,成彩晶,丁嘉欣,张亮,陈慧娟,,
来源：激光与红外 年份：2007
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管...
[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,
来源：红外 年份：2006
本文对p-GaN／Au的接触电阻率进行了研究。用沸腾的王水处理p-GaN表面后，p-GaN／Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm^2的欧姆接触。接触电阻率测试和I－V特性曲线测试表明，在N2气氛...
[期刊论文] 作者：成彩晶,丁嘉欣,张向锋,赵鸿燕,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立,
来源：半导体学报 年份：2008
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0．42Ga0．58N／Al0．40Ga0．60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器．从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93Ω．器件在...
[期刊论文] 作者：成彩晶,鲁正雄,司俊杰,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,
来源：半导体光电 年份：2006
用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器，并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87．3pA。从器件的室温I-V...
[期刊论文] 作者：丁嘉欣,成彩晶,张向锋,张晓兵,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立,
来源：激光与红外 年份：2009
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N／Al0.5Ga0．5NP—I—N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应，其截止波长为285nm，在275nm峰值波...
[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,郭云芝,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,
来源：红外技术 年份：2006
用MOCVD生长的未掺杂的疗n-Al0．3Ga0．7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA，在315nm波长处有陡峭的截止边，在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0．0...
[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,
来源：红外 年份：2006
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N2气氛围...
[期刊论文] 作者：成彩晶,鲁正雄,司俊杰,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,张国义,,
来源：半导体光电 年份：2006
用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I...
[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,张国义,,
来源：红外 年份：2006
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究．用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0．045Ω·cm~2的欧姆接触．接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围...
[期刊论文] 作者：丁嘉欣,成彩晶,张向锋,张晓兵,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义,,
来源：激光与红外 年份：2009
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值...
[期刊论文] 作者：成彩晶,丁嘉欣,张向锋,赵鸿燕,鲁正雄,司俊杰,孙维国,桑立雯,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2008
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω....
[期刊论文] 作者：成彩晶,司俊杰,鲁正雄,郭云芝,赵鸿燕,赵岚,丁嘉欣,孙维国,陈志忠,张国义,,
来源：红外技术 年份：2006
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为...
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